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MOS管驱动半桥芯片发热问题

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发表于 2014-4-18 00:12:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
H桥的MOS管用的N沟道的IRF 1404S。
1、焊驱动芯片,测试LO端波形,输出PWM波,正常;测HO波形,为10V高电平,正常;测HS波形,为10V高电平,正常。

2、焊上LO端电阻,测LO端波形,输出PWM波,正常;测HO端波形,输出PWM波形,正常,测HS波形,为0V,正常。(因为焊上LO端的电阻后,下管MOS管导通,连接MR端的HS电压被拉低)

3、焊上HO端电阻,测各端波形,这个时候就会烧驱动芯片了..

图就是手册上 IR2104的 标准图 由于电脑马上没电这里就麻烦大家了。。。 发一个帖子等大神回复  有人说在 MOS驱动负载电源那边并一个电容到 自举二极管阳极就会好 但不明白原理求讲解

http://bbs.21dianyuan.com/13765.html  原贴在此
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发表于 2014-4-18 00:42:57 | 显示全部楼层
对MOS管不熟悉。
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