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《模拟电子技术基础》详细习题答案(童诗白,华成英版,高教版)

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发表于 2014-3-29 12:10:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
第一章 常用半导体器件
自 测 题
    一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
    (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(  )
    (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(  )
    (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(  )
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
                                               (  )
    (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。(  )
    (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。(  )
解:(1)√   (2)×   (3)√   (4)×   (5)√   (6)×

    二、选择正确答案填入空内。
    (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将     。
           A. 变窄       B. 基本不变      C. 变宽
    (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是     。
           A.  ISeU       B.         C.  
    (3)稳压管的稳压区是其工作在     。
           A. 正向导通    B.反向截止      C.反向击穿
    (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为     。


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发表于 2014-8-23 06:47:05 | 显示全部楼层
山外哥威武啊!
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发表于 2014-9-9 11:30:33 | 显示全部楼层
强烈支持,非常感谢哥们
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